新颖性無電極遮光之垂直結構薄膜型氮化鎵發光二極體

摘要

本研究主要是将无电极遮光制程应用在尺寸为45mil的LEDchip上,并配合高反射镜面、粗化技术、电镀铜基板制程以及雷射剥离技术,制备具高效率、高亮度以及高散热之发光二极体元件,并且探讨不同电极结构设计下的垂直结构发光二极体之光电与热特性,以及与一般传统水平制程发光二极体的特性作比较.总共比较三种发光二极体结构如下:传统蓝宝石基板之发光二极体/具p-GaN粗化、垂直式无电极遮光结构(整面发光)发光二极体/具高反射镜面铜基板、垂直式无电极遮光结构(指叉状电极)发光二极体/具高反射镜面铜基板三种结构.特性分析部分,垂直式无电极遮光结构(整面发光)和垂直式无电极遮光结构(指叉状电极)之元件在350mA操作电流下,垂直式无电极遮光结构(整面发光)和垂直式无电极遮光结构(指叉状电极)之元件的输出功率分别别为284.52mW和329.39mW,比一般水平结构的236.38mW分别增加约20.3％和39.3％.由红外热像分析仪量测结果得知,垂直式无电极遮光结构(整面发光)和垂直式无电极遮光结构(指叉状电极)的表面温度分为51.02℃和51.12 ℃,低于一般水平发光二极体的表面温度(57.91 ℃)。