矩形刻槽表面的次级电子倍增效应

摘要

本文采用二维静电PIC-MCC方法,对矩形刻槽介质表面次级电子倍增效应进行了模拟研究,分析了三种模式的次级电子倍增效应,给出了运动电子和空间电荷场的二维分布,并对各自的抑制效应进行了对比分析.结果表明,只有在刻槽宽度和深度均满足一定值时,刻槽对次级电子倍增效应才有显著的抑制效果.