磷化铟单晶超精密加工技术研究

摘要

磷化铟晶体材料具有较高的电场漂移速度、良好的热导特性和较强的抗辐射能力,半绝缘磷化铟衬底主要应用于光电集成电路(OEIC)、高电子迁移率晶体管(HEMT)以及异质结器件(HBT)等,通常要在抛光片表面利用MBE或MOCVD技术生长薄膜,这就要求磷化铟抛光片具有良好的几何参数和表面质量.本文针对磷化铟晶体表面的超精密加工进行了研究.研究了不同抛光液对磷化铟单晶的抛光效果,探讨了抛光布结构对晶片质量的影响,并开展了中抛光去除量的研究.结果表明3英寸磷化铟双面抛光片抛光表面质量良好,Ra≤0.3nm.