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衬偏效应对1T1R结构中forming成功率的影响

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编程成功率是阻变存储阵列可靠性的重要方面.本文采用1KblT1R阵列系统研究了晶体管的衬偏效应对Cu/HfO2/Pt阻变存储器编程成功率的影响.在forming过程中,晶体管和阻变存储器都具有一定的电压降,因此晶体管源漏两端端电压被抬高,晶体管产生衬偏效应,阈值电压增大.当晶体管的阈值电压大于所加栅压时,晶体管被截止,流经阻变存储器的电流被限制,无法被编程至低阻态.实验发现,将forming电压控制在较小范围内可以有效保证1T1R的编程成功率.本文对forming失效机理的研究将有助于提高1TlR的阵列产率.

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来源
《2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件》|2013年|132-136|共5页
会议地点成都
作者
Xiaoxin Xu; 许晓欣; Hangbing Lv; 吕杭炳; Hongtao Liu; 刘红涛; Wei Wang; 王伟; Ming Wang; 王明; Yuxiang Li; 李玉香; Ming Liu; 刘明;
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作者单位

教育部;

国务院学位委员办公室;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP333:TP302.7;
关键词
阻变存储器; 晶体管; 衬偏效应; 成功率;
入库时间 2022-08-17 10:43:30

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