BiCaInVIG铁氧体单晶材料生长研究

摘要

本文介绍了BiCalnVIG在微波单晶器件研制和发展中的重要地位;介绍了掺杂BiCaVIG铁氧体单晶材料生长实验结果.通过配方设计和多种生长控制手段,采用PbO-Bi203作助熔剂,生长的掺In的BiCaVIG铁氧体单晶,其饱和磁化强度4πMs为430±25Gs;铁磁共振线宽△H平均为0.900e,△H最小为0.820e,其微波性能指标接近俄罗斯同类材料技术指标.