铁电调控下的可见到红外In2Se3光电探测器

摘要

基于二维过渡金属硫化物的光探测器近年来已经被广泛研究.然而,即使在高栅极和源漏偏压下,探测光谱范围,暗电流和响应时间仍然不令人满意.In2Se3被用于制备的铁电场效应晶体,从而实现了具有宽响应光谱(可见光到1550nm)和快速响应(200μs)的高性能光电探测器.最重要的是,由于铁电聚合物P(VDF-TrFE)的强局域场的存在,在没有外加栅压的情况下,可以实现低暗电流.这些研究进一步推进了二维半导体材料在光电探测方面的应用.