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HAMR磁头/盘界面近场辐射换热研究

摘要

本文将HAMR磁头磁盘界面等效为一维半无限大多层介质模型,研究了其近场辐射换热规律.以并矢格林函数为基础,应用涨落耗散理论及散射矩阵法(S-矩阵法)等方法,对纳米级近场下热流密度进行计算,同时考虑非磁型与磁性、普通材料与超材料对换热的影响.研究结果表明,相较于传统远场换热,近场换热的换热量会增大数倍,磁性介质会促进换热.

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