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黄俊; 张纪才; 孙茂松; 王建峰; 徐科;
中国电子学会;
氮化铝膜; 氢化物气相外延; 表面形貌; 原子台阶平滑表面;
机译:厚度对HVPE生长AlN的应变状态和表面形貌的影响
机译:通过蓝宝石衬底分解来分离由HVPE生长的厚AlN层而研究在AlN薄层下方形成空隙的研究
机译:(0001)蓝宝石上AlN的外延生长:通过实验设计评估HVPE工艺
机译:HVPE法AlN高速同质外延生长及其效果
机译:反应磁控溅射生长外延TiN(001)层的表面形貌演变。
机译:脉冲激光沉积在Si(111)衬底上生长AlN外延膜的界面反应控制及其机理
机译:结合HVpE横向外延过生长和mBE方法制备的III族氮化物紫外探测器阵列。
机译:ALN材料单晶膜外延生长的ALN材料和底物的单晶膜的制造方法
机译:制备固溶体(SiC) 4-x Sub>(AlN) x Sub>(AlN)(SiC) 1-x i>的外延层的方法子>(AlN)<子> x Sub>
机译:通过氢化物气相外延(HVPE)在图案化基板上形成III族氮化物结晶膜的方法
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