首页> 中文会议>恒业成·全国纺织印染助剂行业研讨会暨第31届年会 >掺铈PI/SnO2复合薄膜的制备及光催化性能

掺铈PI/SnO2复合薄膜的制备及光催化性能

摘要

以聚酰亚胺(PI)为基体,采用离子交换法制备Ce掺杂PI/SnO2复合薄膜.考察了不同制备条件对其性能的影响,并进一步研究了Ce掺杂量及离子交换液浓度对复合薄膜的影响.利用SEM、EDAX、XRD、FTIR等技术手段对复合薄膜进行表征,并且以亚甲基蓝为模型污染物,根据对亚甲基蓝的降解率评价薄膜的光催化性能.研究结果表明,煅烧温度330℃,煅烧时间4h,Ce掺杂量为30%、离子交换液浓度为0.4mol/L时.光催化效果最好,2h亚甲基蓝降解率可达94.5%,TOC去除率75.3%.回收复合薄膜进行二次利用,降解效果良好.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号