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F.X.Lu; 吕反修; L.F.Hei; 黑立富; C.M.Li; 李成明; W.Z.Tang; 唐伟忠; G.H.Li; 李国华; H.Guo; 郭辉; Z.L.Sun; 孙振路;
中国材料研究学会;
华侨大学;
吉林大学;
金刚石单晶; 直流电弧等离子体喷射法; 外延生长; 尺寸参数;
机译:直流电弧等离子体射流在排污(开放循环)模式下高速单晶外延生长CVD单晶金刚石
机译:直流电弧等离子体喷射CVD生长大同质外延单晶金刚石的制备与表征
机译:直流电弧等离子体射流沉积大尺寸金刚石膜中Ti可破坏夹层的结构演变
机译:DC电弧等离子体喷射CVD对单晶金刚石沉积的生长参数的影响
机译:快速重离子束探测器的单晶金刚石研究及改进金刚石材料的金刚石生长研究
机译:纳米晶金刚石在单晶金刚石上的快速生长用于极端条件下的材料研究
机译:不同原料气体直流电弧等离子体制备金刚石薄膜的比较研究
机译:低能电子衍射法在过渡金属单晶表面生长的结晶离子薄膜的表面结构测定
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:它从金刚石单晶中生长出单晶,金刚石单晶是类底物
机译:大尺寸单晶和单晶层,由金刚石型碳制成,并具有相同的制造装置
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