硅基材料的氧化行为和机理

摘要

研究和比较了５种硅基材料（单晶Ｓｉ、单晶ＳｉＣ、烧结ａ－ＳｉＣ、ＣＶＤ－Ｓｉ＜，３＞Ｎ＜，４＞和烧结Ｓｉ＜，３＞Ｎ＜，４＞）在１１００～１４００℃温度和１０１。