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候延冰;
中国电子学会;
发光器件;
机译:合成条件对射频溅射沉积电致发光器件CaTiO_3:Pr〜(3+)薄膜的光电性能的影响
机译:ZnS:Pr,Ce / Ta / sub 2 / O / sub 5 /界面的粗糙度及其对交流薄膜电致发光器件电性能的影响
机译:光辅助沉积和/或光辅助退火对ZnS:Mn薄膜电致发光器件特性的影响
机译:GD-(3+)添加和GD至(3+)-PR至(3+)加入GD-(3+)-PR的加入yalo3外延薄膜(3+)-PR至(3+)共加成yalo3外延薄膜。
机译:磷光体层微观结构的表征及其对薄膜电致发光器件电致发光性能的影响
机译:Zn-二氧化硅纳米复合薄膜快速重离子辐照的结果研究:电子溅射
机译:ZnS型薄膜电致发光器件中电子的瞬态加速过程
机译:原子层外延Zns:mn交流薄膜电致发光器件的电特性研究。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:具有增强的光致发光特性的ZnS / ZnO / ZnS多层薄膜
机译:具有Zn浓度梯度的薄膜电致发光器件
机译:以ZnS为主体材料的薄膜电致发光器件
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