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周克崧;
等离子射流CVD法;
机译:沉积参数对直流电弧等离子体射流化学气相沉积法沉积金刚石膜微结构和导热性的影响
机译:电弧特性对直流电弧等离子体射流CVD制备大尺寸金刚石晶片性能的影响
机译:气体再循环模式下直流电弧等离子体射流在金刚石薄膜中的残余应力分布及其对制备厚的独立金刚石膜的影响
机译:微波等离子体辅助CVD多晶金刚石膜在较高压力条件下的沉积。
机译:封闭热丝CVD系统中金刚石膜的沉积
机译:直流电弧等离子体射流法沉积金刚石薄膜
机译:沉积变量对WF sub 6 / si还原沉积LpCVD钨膜的影响
机译:用直流PACVD法合成金刚石膜的装置
机译:通过CVD将金刚石或碳化物膜沉积到难熔金属基材上-包括两个金刚石或碳化物沉积步骤,以及一个中间金属沉积步骤以完全覆盖
机译:用等离子体CVD法沉积蒸气沉积膜的等离子体处理用气体补给件,以及使用该气体补给膜沉积气相沉积膜的方法
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