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李静波;
中国机械工程学会;
半导体材料;
机译:In-As-Sb-C-H系统的热力学分析和In(As,Sb)半导体的MOVPE工艺设计
机译:MOVPE在GaSb上生长的GaInAsSb薄膜的离子束分析
机译:Al-Ga-In-P-As-Sb-C-H系统的热力学数据库及其在III-V半导体外延工艺设计中的应用
机译:111 GaAs衬底上GaSb / lnAs和lnGaSb / lnAs双异质结和应变层超晶格的MOVPE生长的优化
机译:N-AlxGA1-XSB / GASB的运输性能实验和理论测定
机译:硅和基本掺杂元素(AlAsBBiGaInNPSb和Tl)的二元相图和热力学性质
机译:mOVpE对Gasb(001)衬底上Gasb过生长的温度依赖性
机译:Gasb(001)上的auGa2:外延,热力学稳定的金属/ III-V化合物半导体界面
机译:richtvorrichtung用于Grossbehaelter的差热分析,尤其是wasserbeckengasbehaelter
机译:Bi-Sb-Te Bi-Sb-Te制造Bi-Sb-Te系大面积烧结合金和Bi-Sb-Te系大面积烧结合金的方法
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