大直径硅片工艺技术及晶体完整性研究

摘要

随着超大规模集成电路设计线宽向深同米级（＜０．５μｍ）发展，对大直径硅片质量的要求越来越高，提高晶体完整性、减少污染和采用缺陷工程方法改善表面质量的研究更加深入。该文阐述了深亚微米集成电路用大直径大硅片工艺技术、表面完整性和洁净程度的研究热点和检测技术发展趋势。同时还介绍了硅及绝缘体上硅（ＳＯＩ）材料的缺陷工程研究。