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中国金属学会功能材料分会;
机译:通过快速重离子辐照Si衬底上的Fe_(20)Ni_(80)薄膜来形成磁性和半导体纳米结构
机译:Halo 202:PEGPH20的随机期II研究PEGPH20加上Nab-紫杉醇/吉西他滨与未处理的转移性胰腺导管腺癌患者的Nab-Paclitaxel / gemcitabine
机译:评估用于气体传感应用的分类半导体碳纳米管薄膜[?评估用于气体传感器的分类半导体碳纳米管薄膜]
机译:薄膜基板上Au80Sn20共晶焊料的制备工艺研究
机译:共聚焦显微镜研究半导体量子点的荧光闪烁,金属纳米粒子的光生和金属薄膜和金属纳米粒子的多光子光发射
机译:制备工艺和退火处理对硅纳米线薄膜少数载流子寿命的影响
机译:用于制造具有微/纳米间隙的半导体结构的镶嵌工艺。
机译:金属碳纳米管的破坏方法,半导体碳纳米管的集合体的制造方法,半导体碳纳米管的薄膜的制造方法,半导体碳纳米管的破坏方法,金属碳纳米管的集合体的制造方法,制造方法碳纳米管薄膜的制造,电子器件的制造方法,碳纳米管集合体的制造方法,半导体碳纳米管的选择性反应的方法
机译:金属单壁碳纳米管的破坏性如何,半导体单壁碳纳米管组件的制造方法,半导体单壁碳纳米管薄膜的制造方法,半导体单壁碳纳米管的破坏性方法,金属单壁碳纤维纳米管集合体的制造方法,金属单壁碳纳米管薄膜的制造方法以及碳纳米管FET电子器件的制造方法
机译:生产直径为325×12 mm的热轧机加工管的方法,该管的直径精度很高,钢壁为12H12M1BFRU-W(EP450U-W)和16H12MVSFBR-W(EP823-W),用于在轧机HPT 450中轧制THEIR和HPT 250管道清管器尺寸202±1,2×3,5 + 0,3 / -0.2毫米194±1,2×2,5 + 0,3 / -0.2毫米以及随后的轮廓HEX管道-ZAGOTOVKI尺寸“交钥匙” 181.8±0.4×3.5 + 0.3 / -0.2×3750 + 20 / -0毫米和175±0.4×2.5 + 0.3 / -0.2×2680 + 20 / -0 mm用于新一代FAST NEUTRON反应堆
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