SiC纳米晶须的制备及TEM观察

摘要

以SiC<,2>纳米粉和自制的树脂热解炭作原料，采用双重加热这一新技术在较低的俣成温度下、较短的合成时间内制备了直径在10-30NM范围内、长径比在30-100之间、产率达80℅的SiC纳米晶须，并用透射电子显微镜对SiC纳米晶须的显微形貌进行了观察研究，分析了合成温度和时间对SiC纳米晶须显微形貌的影响关系。