Si双晶基片上制备高TcYBCO DC-SQUIDs工艺及其特性。实验 中采用脉冲激光沉积技术在24°Si(100)双晶基片上原位制备YSZ、CeO<,2>隔离层、YBCO超 导膜及非解导YBCO钝化层、超导薄膜临界温度为88K,77K时的临界电流密度大于2x10<'6>A/cm<'2>。当桥宽大于10um时双晶结构的I-V特性符合典型的RSJ模型,其IcRN>值'/>
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漆汉宏; 田永君; 郑东宁;
中国电子学会;
双晶基片; 高温超导; 超导薄膜;
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