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孔德生; 陈慎豪; 王超; 李亮;
中国化学会;
电容测量; 铬; 钝化膜; 半导体性能;
机译:铬钝化膜的电容测量研究。
机译:使用超薄GeSnO_x膜作为表面钝化层的具有HfO_2栅极电介质的Ge金属氧化物半导体器件的改进电性能
机译:温度变化对暴露于盐溶液的氧化铬涂层上钝化膜腐蚀行为和半导体性能的影响
机译:用XPS和电容测量研究316S上无源膜的结构和半导体性能
机译:通过硫化镉/铜铟硒(2)的电流-伏安,电容-伏安和电容瞬态测量研究铜-铟-硒(2)中的深层
机译:使用比电容的精确测量研究脂质双层膜的稳定性
机译:Si基板上P型气体金属氧化物 - 半导体电容器中的化学表面钝化溶液诱导的异常少数载波行为
机译:III-V化合物半导体的表面钝化。
机译:金属表面钝化膜机械破坏条件下腐蚀抑制剂性能表示评价的方法
机译:铬或低铬金属表面钝化
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