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用残气谱研究HT-7超导托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧性

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摘要

硼碳膜吸氧将导致真空室残气中水分压的降低,所以可以通过分析各种情况下真空室残气谱水分压的变化,来研究托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧过程.残气谱分析表明硼化过程中,硼碳膜吸氧;各种等离子体轰击过程中硼碳膜吸氧;而没有等离子体轰击时如抽本底真空过程中,硼碳膜不吸氧.了解这些过程对合理使用膜有重要意义.

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来源
《中国真空学会五届三次理事会暨学术会议》|2001年|73-7587|共4页
会议地点北京
作者
方应翠;
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作者单位

中国真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类真空技术基础理论;
关键词
硼碳膜; 吸氧性; 残气谱;

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