高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器

摘要

本文报告了研制的GaAs/InGaAs异质结功率FET(HFET),该器件是在常规的高-低-高分布GaAsMESFET的基础上,在有源层的尾部引入I-InGaAs层.采用HFET研制的两级C波功率放大器,在5.0～5.5GHz带内,当V<,ds>=5.5V时,输出功率大于32.31dBm(0.177W/mm),功率增益大于19.3dB,功率附加效率(PAE)大于38.7%,PAE最大达到49.4%,该放大器在V<,ds>=9.0V输出功率大于36.65dBm(0.48W/mm),功率增益大于21.6dB,PAE典型值35%.