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常秀兰; 李成明; 刘峰奇; 王占国;
中国电子学会;
量子级联激光器; 材料生长; 器件制作;
机译:基于GaAs和GaN半导体材料的近端和远红外量子级联激光器:器件设计和MBE生长
机译:基于束缚连续结构的太赫兹量子级联激光器的材料生长和器件制造
机译:MBE生长温度,材料质量和量子级联激光器性能的相关性
机译:基于3C-SiC MOS的器件:从材料生长到器件表征
机译:量子级联激光器应用中的砷化铟镓/砷化铝铟超晶格的材料生长。
机译:使用超材料/石墨烯器件的太赫兹量子级联激光器的外部振幅和频率调制
机译:LWIR alInas / GaInas / Inp量子级联激光器的mOVpE生长:生长和材料质量对激光性能的影响。
机译:制作光电面板的方法,制作电子器件的方法,光电面板的彩色滤光片保护层材料,光电面板,光电器件和电子器件
机译:制作例如连接到组件的纳米管包括以空腔形状制作生长图案,从生长结构的横向区域和底部生长纳米管并去除生长结构
机译:通过生长不同有源和无源纤芯的多波长量子级联激光器
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