超声雾化CVD制作SnO<,2>:F透明导电膜的工艺研究

摘要

我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO<,2>薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的影响,分析了氟化氢和氟化氨掺杂的不同点,同时讨论以何种比例,何种条件,能使得沉积的膜电阻率最小.