掺纳米ZnO的ZrO<,2>(3Y)材料的中低温电导

摘要

采用交流阻抗谱技术,在473~973K温度范围,对掺纳米ZnO的ZrO<,2>(3Y)复合掺杂材料的电导率随ZnO第二相质量分数的变化关系进行了研究.研究发现,掺很少量的纳米ZnO(0.5wt﹪~1.0wt﹪),纳米ZrO<,2>(3Y)材料晶粒和晶界电阻显著增加、电导率降低,原因在于缺陷缔合效应的加剧阻碍了氧空位的迁移;随着ZnO掺入量的继续增加(>1.0wt﹪),晶界电阻显著减小、电导率回升,材料中电子迁移数增加是导致这一结果的原因.