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李红; 杨德仁; 余学功; 马向阳; 阙端鳞;
中国电子学会;
锗; 直拉硅; 单晶性能; 三步退火; IG性能;
机译:锗的掺入对kesterite Cu_2ZnSn(S,Se)_4单晶性能的影响
机译:锗掺入对化学气相沉积硼掺杂超薄多晶硅(Si_(1-x)Ge_x)薄膜结构和电性能的影响
机译:重掺杂锗的直拉硅中锗的裸露区形成
机译:铋锗硅氧化物(BGSO)单晶的直拉生长和闪烁特性
机译:硅(001):磷气源分子束外延过程中的磷掺入:对薄膜生长动力学,表面形态和锗量子点覆盖层的自组织的影响。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:辐射暴露对单晶硅锗合金结构和物理力学性能的影响
机译:CZ硅或锗中退火或辐照引起的缺陷
机译:基于CZ方法的冷却器配备的硅单晶硅单晶硅上拉器件,通过Dashneck方法改善了缺陷的位移,改进了基于CZ方法的硅单晶硅的上拉器件,并提供了基于COLOLE的COOL焊点,并在直径上增加了尺寸
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:化学气相生长法生产单晶硅的方法及其原料中的超微量元素kuroroshiran分割定量法所生产的单晶硅中的超微量元素无效
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