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ZnO薄膜的新型MOCVD生长及特性研究<'1>

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摘要

ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体增强MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,并分析了其特性.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|68-69|共2页
会议地点牡丹江
作者
刘大力; 杜国同; 王金忠; 张源涛; 张景林; 马艳; 杨晓天; 赵佰军; 杨天鹏; 刘博阳; 杨洪军; 杨树人;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
氧化锌薄膜; MOCVD; 等离子体增强; 蓝宝石衬底;

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