在Si和Al<,2>O<,3>基片上生长的ZnO薄膜的特性比较

摘要

用Zn(C<,2>H<,5>)和CO<,2>为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用Al<,2>O<,3>(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测量了这两种样品退火前后的X射线衍射谱以及PL荧光光谱,PL光谱的及发光源为He-Cd激光器的325nm谱线.