离子注入PIN辐射探测器性能测试

摘要

利用先进的微电子、微机械加工技术,我们研制了300μm、450μm、600μm、800μm和1000μm等五种离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300μm、450μm和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.具体来说,在平均25.7℃的温度下,漏电流大约在14nA左右,噪声水平大约为7.4keV,能谱分辨率大约为16.9keV.从噪声水平看,我们的样品优于ORTEC探测器,说明还有提高能谱分辨率的余地.