退火对电沉积Co/Cu多层膜GMR的影响

摘要

本文采用控电位双脉冲技术,在半导体Si片上电沉积了一系列的[Co(1.5nm)/Cu(t)]100(0.9nm＜t＜4.5nm)多层膜,观察到了巨磁电阻值随Cu层厚度的振荡变化,对比发现微量CrO3的加入显著提高了多层膜的GMR值.选取t=1.5nm、2.3nm、3.5nm的多层膜,分别在200℃和300℃下真空退火1小时,发现Cu层较薄时,退火后多层膜的GMR值显著下降,而退火对Cu层较厚样品的GMR值的影响要较为复杂,这被认为是出现了Cu-Co颗粒膜结构.