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王万平; 张怀武; 王豪才;
电子科技大学信息材料学院;
自旋阀; GMR; 多层膜; 巨磁电阻效应; 巨磁阻; 灵敏度; 噪音; 硬盘磁头; 信息存储; 领域;
机译:初始层表面粗糙度对用于MRAM的Si / Cu / NiFe / Cu / Co / Cu / NiFe双自旋阀GMR性能的影响
机译:沉积工艺参数对/ spl alpha / -Fe / sub 2 / O / sub 3 // NiFe双层交换耦合和/ spl alpha / -Fe / sub 2 / O / sub 3 // NiFe /的GMR的影响Cu / NiFe自旋阀
机译:NiFe / Cu和Co / Cu多层膜的GMR特性
机译:初始层表面粗糙度对用于MRAM的NiFe / Cu / Co / Cu / NiFe双自旋阀GMR性能的影响
机译:通过直流溅射生长的GMR磁性多层膜和自旋阀的结构研究。
机译:电化学合成的深宽比极大的Co / Cu多层纳米线阵列的CPP-GMR性能
机译:Gmr对薄顶自旋阀Nife / Cu / Nife / Nio系统的磁化特性和影响
机译:具有Co-Cu缓冲层的溅射Co / Cu多层结构的大GmR值
机译:根据自旋阀原理,用于制造GMR存储组件或GMR传感器元件的GMR磁阻层制造方法,其中应用了两个磁化步骤
机译:磁性元件的自旋阀结构和CPPGMR自旋阀结构,以及在磁再现头中的自旋阀结构连续层压
机译:磁性元件的自旋阀结构,CCP-GMR自旋阀结构以及在磁再现头中形成自旋阀结构的方法
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