电磁脉冲场对典型微电子设备干扰与损伤效应的实验研究

摘要

本文针对电磁脉冲场对典型微电子设备的干扰与损伤效应问题利用电磁脉冲模拟器进行了实验研究.实验结果表明,无论脉冲电场、脉冲磁场,对设备的干扰阈值决定于脉冲的上升时间.上升时间短,则干扰阈值低.新参数脉峰升率(PRR)的提出为评价电子设备对EMP骚扰的敏感性和易损性及利用不同测试条件下的有关数据提供了依据.