Al/Cu微米级厚度薄膜扩散连接工艺及显微组织分析

摘要

采用真空扩散连接工艺法,对Al与Cu薄膜扩散连接接头的组织性能进行实验研究,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪等测试方法对连接接头过渡区及基体组织和性能进行了分析.实验结果表明:采用真空扩散连接工艺,加热温度为250℃、保温时间为30min、压力为5MPa时,Al/Cu薄膜界面处形成明显的过渡区,扩散界面控制在150nm以内.