非晶和纳米晶丝中巨磁阻抗效应的计算模拟

摘要

本文对丝状材料中的巨磁阻抗效应进行了数值分析,计算了丝材料半径、饱和磁化强度和电阻率对磁导率和GMI效应的影响.计算结果显示,磁导率随频率的变化趋势基本与实验相符,实部单调下降,而虚部出现峰值,且两者交于峰值附近.饱和磁化强度M<,s>的增加使得磁导率增加,从而导致GMI效应的增强.而丝半径的增大和电阻率的降低则通过增强材料的趋肤效应而使得GMI增加.