氧化对Ni/n-AlGaN透明电极肖特基接触的影响

摘要

在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明,由于Ni表面形成的一层薄的NiO,在光波长为314 nm时电极的透明度比纯金属Ni的透明度提高35.5％.同时,低温退火使得理想因子从2.03减小到1.3,肖特基势垒高度从0.77eV提高到0.954eV.这种方法可以应用于制作高透明性的肖特基型紫外探测器.