热处理条件对硅/碳化硅材料相与组织的影响

摘要

分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750,1850℃对硅/碳化硅材料进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射分析手段,研究了硅/碳化硅材料的组织的变化.结果表明,氮气氛下处理,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终完全"吞食"所包裹的β-SiC来完成相转变的;在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,二者同时作用使得真空比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度.转化驱动力随温度的上升而提高.1850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β-SiC相存在,而真空1750℃处理后就能得到单一的α-SiC相多孔材科.