纳米Al2O3强化铜基ODS20的组织与性能

摘要

研究了铜基ODS的组织与性能.结果表明:采用内氧化方法生产的铜基ODS20,在纯铜基体上原位生成弥散、10 nm左右的γ-Al2O3微粒.该材料导电率约90%IACS,比纯铜导电率约降低10%.加工状态的室温强度可达到610 MPa,在1173 k保温1.5 hr,强度达到室温强度的83%,表明软化温度高于1173 K.在1273K、1.5 hr退火,品粒平均直径小于1μm,AL2O3微粒不发生熔解、聚集、长大的现象.

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