氮化硅纳米线的制备与表征

摘要

本文采用一种简单的化学气相沉积法制备出了大量高纯的α-Si3N4纳米线。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对产物貌、结构和组成进行了表征，结果表明，所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑，直径为80～200 nm，其长度可达数百微米。选区电子衍射(SAED)结果证实所制备的α-Si3N4纳米带为单晶。通过对其生长过程及机理分析可知，纳米线的生长是由气一液一固生长机制来控制的。