硅三极管对静电放电最敏感端对的试验研究

摘要

试验发现高频低噪声硅晶体三极管对静电放电(ESD)电磁脉冲的最敏感端对是CB结,这一结果与大量参考资料中三极管ESD最敏感端对是EB结的理论不相符.针对这一问题,选取高频低噪声硅晶体三极管、低频小功率硅晶体三极管和低频大功率硅晶体三极管三类器件为样品,采用人体模型(HBM)静电放电(ESD)直接注入法分别对它们进行ESD最敏感端对的试验研究.