高配比吸附型复杂离子缔合物固体基质室温燐光光度法测定痕量钼(Ⅵ)

摘要

基于酸性介质中和70℃、20min反应时,SCN<'->(硫氰酸根)-Rhod.B(罗丹明B)-PVA(聚乙烯醇)体系所生成的[Rhod.B<'+>·SCN<'->]离子缔合物在滤纸固体基质上能发射室温燐光,Mo(Ⅵ)的存在使体系发生反应而生成[MoO(SCN)<,5><'2->(Rhod. B<'+><,2>]·398[Rhod. B<'+>·SCN<'->高配比吸附型复杂离子缔合物,[MoO(SCN)<,5><'2->(Rhod.B<'+>)<,2>]·398[Rhod.B<'+>·SCN<'->]高配比吸附型复杂离子缔合物比[Rhod.B<'+>·SCN<'->]离子缔合物在固体基质上所占有的Rhod.B分子数大增,从而导致固体基质上室温燐光信号剧烈增强,据此建立了高配比吸附型复杂离子缔合物固体基质室温燐光光度法测定痕量钼(Ⅵ)的新方法。在0.4μL(取样浓度为4.0<'->36.0pg/mL)点样体积内,即钼含量在1.6<'->14.4fg/斑点范围内与△Ip呈良好的线性关系,工作曲线的回归方程△Ip=10.07+7.101m<,Mo(Ⅵ)>(fg/斑),n=8。相关系数r=0.9997。检出限:0.20fg/斑(相应浓度为0.50pg/mL)。该方法准确、灵敏、简捷、快速、选择性好。同时探讨了高配比吸附型复杂离子缔合物固体基质室温燐光发射机理。