ZnO纳米线的可控生长及其发光特性研究

摘要

本文利用高纯锌粉氧化的气相输运工艺进行了ZnO半导体一维纳米线的生长制备研究,在常压下生长温度600℃在盲口石英舟中得到了形貌一致、产量高的ZnO纳米线；利用ZnO纳米晶作为籽晶层,在低压下生长温度600℃条件下在硅基片上制备取向性ZnO纳米线.这两种纳米线的光致发光特性研究结果表明,高纯高纯锌粉氧化工艺所制备的ZnO纳米线,其紫外带边发光光强远大于缺陷发射光强,直径小于100nm的ZnO纳米线具有显著的量子效应。