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彭冬生; 冯玉春; 郑瑞生; 刘晓峰; 牛憨笨;
中国有色金属学会;
中国有色金属工业协会;
华南师范大学;
GaN薄膜; 光学性质; 表面处理; MOCVD;
机译:钛氧化物纳米粒子旋涂在r面蓝宝石衬底上:对非极性a面GaN和InGaN / GaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:通过表面等离子体增强拉曼散射测量的具有不同初始生长条件的c-蓝宝石衬底上的超薄(<30 nm)GaN层的光学性质
机译:高性能基于GaN的发光二极管的蓝宝石衬底处理:蓝宝石衬底的微图案化及其对基于GaN的发光二极管中光增强的影响
机译:SiH 4 inf>处理时间对在原位SiN x inf>蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜性能的影响
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:(0001)和(0112)蓝宝石衬底上GaN薄膜物理性质的比较
机译:由蓝宝石衬底上的沟槽图案化的GaN层制造GaN衬底的结构和方法
机译:具有可变光学性质的构造元件,影响这些光学性质的方法及其用途
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