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王玉东; 徐阳; 窦维志; 张伟; 蒋志; 刘志弘;
中国电子学会;
双极晶体管; 锗硅器件; 工艺流程; 参教控制; 成品率;
机译:太赫兹应用中的硅锗HBT器件参数优化
机译:硅锗HBTS发射极外围的隧道
机译:使用电子全息图可视化带有多晶硅发射极的硅锗HBT的掺杂轮廓
机译:基于使用Y和S参数进行功率增益检查的硅锗HBT的性能分析
机译:用于毫米波应用的硅锗虚拟衬底生长和硅(1-y)锗(y)/硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)HBT。
机译:硅和硅锗微粒的局限性纤维内固化和结构控制
机译:用于THz应用的硅锗HBT的装置参数优化
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:硅锗hbt中多晶硅锗的独立控制方法及相关结构
机译:用硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)集成栅全部(GaA)晶体管(HBT)
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