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16位抗辐照加固微处理器及接口电路设计

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本文介绍16位抗辐照加固微处理器及接口电路芯片设计.为实现抗辐照指标要求,设计过程中针对单粒子和总剂量效应进行设计加固,采用PD-SOI工艺加工制造.辐照测试结果表明,芯片抗总剂量能力达到100Krad(Si),单粒子LET翻转阈值达到67MeV-cm2/mg,满足星载计算机系统使用要求.

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来源
《第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)》|2008年|1-219|共3页
会议地点呼和浩特
作者

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作者单位

中国计算机学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类运算器和控制器（CPU）;
关键词
微处理器; 接口电路; 抗辐照加固; 制造工艺;
入库时间 2022-08-17 11:09:23

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