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射频溅射制备Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜

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摘要

采用射频溅射法在单晶硅基底上沉积Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,并将制备薄膜在不同的温度下进行真空热处理.研究了不同溅射Ar气压及溅射功率下得到的薄膜的成分,比较了不同热处理温度下的薄膜的组织和相.结果表明:采用射频在硅基片上溅射Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,薄膜成分与靶材成分相近,溅射时,氩气工作压强对薄膜成分有一定影响,溅射影响不大,溅射功率对薄膜成分有较大的影响;薄膜经450℃退火2h后,已经形成一定的晶态结构,薄膜经600℃退火2h后,晶化程度提高.

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来源
《第十六届华东六省一市热处理学术年会》|2008年|1-3|共3页
会议地点上海
作者
何亮; 钱士强; 薛春辉; 卢寅蓓;
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作者单位

中国机械工程学会;

上海市机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TG139.6;
关键词
镍锰钙磁性合金; 形状记忆效应; 单晶硅基底; 射频溅射工艺;

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