高效n型晶体硅双面太阳电池研究

摘要

本文从制备出来的n型双面电池的I-V曲线以及电学性能数据看出，电池正反面的效率并不高，还有很大的提升距离。分析认为发射极钝化，应采用A12O3或者SiO2以及他们的叠层薄膜对p+发射极进行钝化，减少表面复合；选用体少子寿命更高的n型高效硅片；采用PV17F作为背面银浆，配合更高方阻的背场使用，降低背表面的复合；调节烧结工艺，精确控制炉温分布使其同时适应两种浆料的最佳烧结曲线；正反面采用更细的细栅，实验采用的细栅为100μm，实际印刷宽度为120μm，采用目前晶硅产线上的50μm细栅后，能减少33%的栅线遮光面积。