等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

摘要

以六甲基二硅氧烷（（CH3 )3-Si-O-Si-(CH3)3，HMDSO）为单体，在等离子增强化学 气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分 子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行了不同功率、气 压及O2 与HMDSO 比例等的影响研究。实验发现：高功率，低气压，及O2 含量的增加有 利于有机硅化合物的裂解，氧化硅沉积过程中质荷比为147 的离子是气相反应形成含硅粒子 的主要前驱体，对薄膜的形成起主要作用。