±800kV特高压直流复合绝缘子短样不均匀染污闪络电压与校正系数研究

摘要

污秽分布不均匀对绝缘子直流污闪电压有明显影响，目前对瓷和玻璃绝缘子研究较多，而对复合绝缘子的研究则很少。本文采用人工污秽试验方法研究了复合绝缘子不均匀染污条件下的放电特性和校正系数。结果表明：表征污秽程度对复合绝缘子污闪电压影响的特征指数与是否均匀染污没有明显关系，上、下表面盐密比(T/B)在1～1/10 之间时，污秽影响特征指数b 介于0.221～0.254 之间；上下表面污秽分布越不均匀，污闪电压越高，污秽分布不均匀的影响系数可以表示为K=1-A×log(T/B)的形式，对于±800 特高压直流复合绝缘子，其A 值为0.14～0.16，即污秽不均匀染污对复合绝缘子污闪电压的影响小于瓷和玻璃绝缘子。