1100VIGBT结构参数的分析

摘要

在1100V IGBT的基础上，引入电场中止技术和近表面层载流子浓度增大技术，通过不同参数下IGBT结构的模拟，分别定量分析了N-漂移区、N+缓冲层和空穴阻挡层的厚度和掺杂浓度对IGBT器件的转移特性、开态特性、开关特性以及耐压的影响，优化了IGBT结构参数，为IGBT结构的改进提供了参考。