正电子谱学湮没多参数测量技术及应用

摘要

正电子在介质中的湮没行为强烈地依赖于材料的种类与状态，特别是当正电子被材料中缺陷“局域化”，即正电子被缺陷捕获湮没时，其寿命与缺陷性质密切相关，可提供材料微观缺陷的结构信息。本文主要针对正电子湮没多参数测量技术的特点进行介绍，对一些关键技术问题进行简要的讨论，并列举一些典型应用结果。