铜掺杂TiO2纳米管阵列的制备与光催化性能

摘要

以阳极氧化法制得的TiO2纳米管阵列为前驱体，用浸渍法制备了不同铜掺杂量的TiO2纳米管阵列。采用场发射扫描电镜（FE-SEM）、X射线衍射（XRD）、X光电子能谱（XPS）、荧光光谱（PL）等对样品进行表征。以亚甲基兰和六价铬离子水溶液为目标污染物，进行光电催化，对比不掺杂和不同铜掺杂量TiO2纳米管阵列的氧化和还原效果。结果表明：掺杂前后TiO2纳米管阵列在形貌上没有明显变化，掺杂的铜是以Cu2+的形式存在；掺铜的TiO2纳米管阵列氧化效果不及未掺杂的TiO2纳米管阵列，但还原效果优于未掺杂的TiO2纳米管阵列；低剂量铜掺杂的TiO2纳米管阵列的还原效果优于高剂量铜掺杂的TiO2纳米管阵列。